特許
J-GLOBAL ID：200903012849139235
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064251
公開番号（公開出願番号）：特開平5-268059
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 高速、低消費電力のBiCMOS論理回路、各種論理ゲートを実装したLSIを提供すること。【構成】 本発明による半導体集積回路装置では、NTL回路、ECL回路、IIL回路にMOSトランジスタを導入し、信号伝播ノ-ドの充電放電の時定数を小さくし、かつ、無駄な電流を流さないように構成されている。また本発明による半導体集積回路装置では、BiCMOS論理回路のバイポ-ラトランジスタのベ-ス・エミッタ間に容量を設けて、ブ-トストラップ効果によって、出力レベルをフル振幅するように構成されている。更に本発明による半導体集積回路装置ではト-テムポ-ル形BiCMOS論理回路において、下側のNPNトランジスタへのベ-ス電流を、電源電圧端子に接続されたPMOSトランジスタを介して供給し、出力レベルが立ち下がった後、ベ-ス電流を遮断し、NMOSトランジスタで出力レベルをプルダウンするように構成されている。
請求項（抜粋）：
エミッタ接地の二つのNPNトランジスタを有し、一方のNPNトランジスタのコレクタが他方のNPNトランジスタのベ-スに接続されてなるIIL系の回路において、電源端子と前記一方のNPNトランジスタのコレクタとの間に接続されMOSトランジスタを含んで構成され、前記エミッタ接地の二つのNPNトランジスタにインジェクション電流を供給するインジェクション電流制御回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H03K 19/08
, H01L 27/092
, H03K 19/086
, H03K 19/091
