特許

J-GLOBAL ID：200903012852712485

スピン注入型磁気抵抗効果素子

発明者： 屋上 公二郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-087950
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269885
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】書込み電流が高いことを解消でき、しかも、読出し電流の値を大きくし得るスピン注入型磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】スピン注入型磁気抵抗効果素子は、(A)第1面20A及び第2面20Bを有し、情報を記憶する磁化反転層20、(B)磁化反転層20の一端に、第1の非磁性膜31を介して配置され、第1の方向に磁化された第1の磁化参照層32、(C)磁化反転層20の他端に、第2の非磁性膜41を介して配置され、第1の方向とは反対方向の第2の方向に磁化された第2の磁化参照層42、(D)第1の磁化参照層32に電気的に接続された第1の電極34、(E)第2の磁化参照層42に電気的に接続された第2の電極44、並びに、(F)磁化反転層20の第2面20Bと対向して、絶縁膜50を介して配置された第3の電極51を備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(A)第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有し、情報を記憶する磁化反転層、 (B)磁化反転層の一端に、磁化反転層の第1面と対向して、第1の非磁性膜を介して配置され、第1の方向に磁化された第1の磁化参照層、 (C)磁化反転層の他端に、磁化反転層の第1面と対向して、第1の磁化参照層と離間して、第2の非磁性膜を介して配置され、第1の方向とは反対方向の第2の方向に磁化された第2の磁化参照層、 (D)第1の磁化参照層に電気的に接続された第1の電極、 (E)第2の磁化参照層に電気的に接続された第2の電極、並びに、 (F)磁化反転層の第2面と対向して、絶縁膜を介して配置された第3の電極、 を備えていることを特徴とするスピン注入型磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/15

FI (6件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 M

Fターム (9件)：

2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6081445号
  
• 米国特許第6714444号