特許

J-GLOBAL ID：200903012853848232

積層体の剥離方法、積層体の製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 宇都宮 純夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146155
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349539
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】積層体内に剥離強度の弱い膜を含む場合であっても積層体にダメージを与えることなく、積層体を基板間で剥離転写することを可能とする積層体の剥離方法を提供する。【解決手段】本発明の積層体の剥離方法は、基板(11)上に剥離層(12)を介して複数の膜を積層して積層体(30)を形成する工程(a)と、上記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少させる工程(b)と、上記積層体から上記基板を剥離する工程と、を含む基板(11)の剥離方法において、上記積層体を構成する複数の膜のうち互いに隣接する膜相互間の密着力のうち最も小さいものが、光照射後の上記剥離層の結合力を下回らないように、界面に密着強度の強化を図る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に剥離層を介して積層された複数の膜からなる積層体を剥離する積層体の剥離方法であって、 前記基板上に剥離層を介して複数の膜からなる積層体を形成する工程と、 前記剥離層に光を照射して該剥離層の結合力を減少させる工程と、 前記積層体を前記基板から剥離する工程と、を具備し、 前記積層体を構成する複数の膜のうち互いに隣接する膜相互間の密着力のうち最も小さいものは、光照射後の前記剥離層の結合力を下回らないように設定される、積層体の剥離方法。

IPC (5件)：

H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (4件)：

H01L27/12 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627D

Fターム (30件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110DD30 ,  5F110EE08 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL08 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16