特許

J-GLOBAL ID：200903012854657600

ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置

発明者： 佐野 道宏 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社 ,  八百 隆文
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245220
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068485
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 ZnO結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置に関し、サファイヤ基板上に成長されるZnO結晶の結晶欠陥を低減し、良質なZnO結晶を成長する結晶成長方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板上に、単結晶ZnOの成長温度よりも低い温度で低温成長ZnO層を成長する工程と、前記低温成長ZnOの成長温度よりも高い高温成長単結晶ZnO層の成長温度と同程度の温度で前記低温成長ZnO層を熱処理する工程と、前記低温成長ZnO層上に、前記低温成長単結晶ZnOの成長温度よりも高い温度で高温成長単結晶ZnO層を成長する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

サファイヤ基板上に、単結晶ZnOの成長温度よりも低い温度で低温成長ZnO層を成長する工程と、前記低温成長ZnOの成長温度よりも高い高温成長単結晶ZnO層の成長温度と同程度の温度で前記低温成長ZnO層を熱処理する工程と、前記低温成長ZnO層上に、前記低温成長単結晶ZnOの成長温度よりも高い温度で高温成長単結晶ZnO層を成長する工程とを含むZnO結晶の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/363 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D

Fターム (22件)：

5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F103AA04 ,  5F103BB02 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭54-162688