特許

J-GLOBAL ID：200903012854930528

有機金属気相成長方法及び有機金属気相成長装置

発明者： 渡辺 明禎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-226218
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097149
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】原料ガスを効率的に使用することができる有機金属気相成長方法を提供すること。【構成】高圧ボンベ1からアンモニアを、有機金属のTMGaのバブラー2からTMGaをそれぞれ反応管12に供給し、反応管12内の圧力を圧力センサー9、圧力コントローラ10、可変コンダクタンスバルブ11により、常に陽圧にしてサファイア基板7上に化合物半導体を成長させるようにした有機金属気相成長方法。

請求項（抜粋）：

原料の少なくとも一種類に有機金属を用い、反応系の圧力を陽圧にして、基板上に化合物半導体を成長させることを特徴とする有機金属気相成長方法。