特許

J-GLOBAL ID：200903012855605507

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山下 賢哉 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  高橋 邦方 ,  内田 正雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-351180
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116896
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 さらに高いチャネル移動度を有する炭化珪素の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 オフ角を有する炭化珪素層1の上面をCMP法等により研磨して、炭化珪素の結晶面に沿った方向におけるステップ高さd1を1nm以下にする。その後、炭化珪素層1の上部を熱酸化して、厚さ2〜5nm程度の熱酸化膜2を形成し、熱酸化膜2の上に、CVD酸化膜3を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素層と、 上記炭化珪素層の一部に設けられたソース領域およびドレイン領域と、 上記炭化珪素層の上に設けられた少なくとも1層のゲート絶縁膜と、 上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備える半導体装置であって、 上記炭化珪素層の上面は上記炭化珪素層の結晶面から傾いた面であって、かつ、上記炭化珪素層の上面における凹凸の段差の最大値は、上記炭化珪素層において合計10個のSi原子およびC原子が並ぶ長さ以下である、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L21/316 S ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 301B

Fターム (23件)：

5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA01 ,  5F140AA08 ,  5F140AC02 ,  5F140AC23 ,  5F140AC26 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BB06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140CE07