特許
J-GLOBAL ID:200903012860234827
半導体製造装置の成膜条件予測装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-201734
公開番号(公開出願番号):特開平7-058015
出願日: 1993年08月16日
公開日(公表日): 1995年03月03日
要約:
【要約】【目的】同一仕様の2台の半導体製造装置の成膜プロセスデータを混在させてニューラルネットワークに学習させることで2台目の装置には学習用成膜プロセスデータを少数用意するのみで成膜条件の予測を可能にする。【構成】成膜データ4Aは1台目(旧)の半導体製造装置には多数の学習用成膜条件データ23,膜質データ24が用意されているのが2台目(新)の装置には学習用データ23,24の用意の数は少ないものとする。本発明ではこの新旧装置の学習用データ23,24に装置の新旧の識別データ21を付した成膜データ4Aを正規化手段46を経てニューラルネットワーク31に学習させる。そして学習済のニューラルネットワーク31’に新装置の識別データ21と所望の膜質データ24とを呈示し、新装置によって、この膜質データ24を得るための予測成膜条件データ47をこのニューラルネットワーク31’から出力させる。
請求項(抜粋):
成膜用ガスの種類や流量,成膜温度,圧力などの条件項目を成膜条件として成膜し、その成膜結果が膜の屈折率,残留応力,エッチング速度などの評価項目からなる膜質データによって評価される半導体製造装置において、2種類の類似の半導体製造装置の過去の成膜結果についての前記膜質データを夫々その成膜が行われた半導体製造装置を識別する装置識別データと共に入力データとし、この入力データに対応する前記成膜条件のデータを教師データとして1または複数のニューラルネットワークに学習を行わせ、この学習済のニューラルネットワークに所望の膜質データとこの成膜を行わせる半導体製造装置の装置識別データを入力することにより、このニューラルネットワークからこの入力条件に対応する成膜条件データを予測出力させることを特徴とする半導体製造装置の成膜条件予測装置。
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