特許
J-GLOBAL ID:200903012867330155

電子回路装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-193567
公開番号(公開出願番号):特開2008-060552
出願日: 2007年07月25日
公開日(公表日): 2008年03月13日
要約:
【課題】パターン剥がれやレジスト残りがなくパターン精度が良好で、電子回路等の電極として用いたときに断線を生じない回路パターンを有する回路パターン付き透明基板を製造する方法の提供。【解決手段】前記基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する工程と、薄膜層を形成する工程と、前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを剥離する工程とを具備し、前記レジスト層の開口部における断面形状が、前記レジスト層と前記基板との境界部に隙間を有するひさし型の段面形状を有していて、前記薄膜層形成工程において薄膜層を形成したときに、前記開口部の基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げないように前記隙間の高さおよび奥行きが決められている、回路パターン付き基板の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に薄膜層からなる所望の回路パターンを形成する回路パターン付き基板の製造方法であって、 前記基板上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、 前記レジスト層に所望の回路パターンに対応する形状の開口部を形成する開口部形成工程と、 前記開口部の基板上および前記レジスト層上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、 前記レジスト層と前記レジスト層上に形成された前記薄膜層とを前記基板から剥離する剥離工程とを具備し、 前記開口部形成工程により前記レジスト層に形成された開口部は、前記レジスト層と前記基板との境界部に高さ(h)で奥行き(w)の隙間を有するひさし型の段面形状を有していて、前記薄膜層形成工程において薄膜層を形成したときに、前記開口部の基板上に形成された薄膜層の端部がレジスト層の裾に乗り上げないように前記高さ(h)および前記奥行き(w)が決められている、回路パターン付き基板の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/027
FI (2件):
H01L21/30 576 ,  H01L21/30 502C
Fターム (8件):
5F046AA11 ,  5F046AA25 ,  5F046BA02 ,  5F046CB17 ,  5F046CC05 ,  5F046DA02 ,  5F046DA17 ,  5F046LA18
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (5件)
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