特許
J-GLOBAL ID：200903012868846589
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343313
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 今後開発される1GDRAM等の微細ルールの半導体装置を製造するため、リソグラフィー工程において、0.2μm以下の微細パターンを形成する方法を提供する。【構成】 従来のエキシマリソグラフィーを用いて0.3μm程度のパターンを形成した後、化学処理を行うことにより0.2μm以下のレジストパターンを形成する。エキシマリソグラフィーではレジスト材料として化学増幅型レジストが用いられている。化学増幅型レジストは露光により感光した部分で酸が発生しその酸により可溶性となりパターンを形成することができる。本発明は露光後、酸雰囲気で所定の時間処理を行い、その後露光後熱処理、現像を行うことによりパターン寸法を制御する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に化学増幅型レジストをコ-ティングする工程と、露光する工程と、引き続き酸性もしくはアルカリ性雰囲気で処理する工程と、露光後熱処理を行う工程と、その後現像する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/16
, G03F 7/26
H01L 21/30 361 K
, H01L 21/30 361 G
