特許

J-GLOBAL ID：200903012868978086

半導体力学量センサの製造方法およびその製造装置

発明者： 上柳 勝道 ,  佐々木 光夫 ,  西川 睦雄 ,  高木 志保
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-366314
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196106
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】スティッキング現象を防止し、精度よく、高信頼性の半導体力学量センサの製造方法とその製造装置を提供する。【解決手段】工程Dにおいて、置換液6によって置換洗浄し、その後、SOI基板100を公転させながら乾燥する。この乾燥工程で、置換液6の表面張力によって生ずるシリコン基板1側への吸引力7(Fr )とセンサバネ力FK と公転で生ずる加速度による遠心力8(FS )の関係が、(FK +FS )>Fr を満たすように、公転の回転数を決定する。また、噴霧を停止した後、公転するSOI基板100が、空気流による摩擦で発生する静電気を除去するために、マイナスイオンを含む窒素などの不活性ガスを、吹きつけながら乾燥させて、スティッキング現象を防止する。

請求項（抜粋）：

第1層のシリコン基板と、該第1層上に形成した第2層の犠牲層となる絶縁層と、該第2層上に形成した第3層のシリコン層もしくはポリシリコン層とで構成されるSOI基板で、前記第3層を加工して力学量をセンシングするセンシングエレメントを形成し、前記第2層を除去して形成する半導体力学量センサの製造方法において、前記第3層上を保護膜で被覆する工程と、該保護膜をマスクとして、センシングエレメントを形成する工程と、前記第2層の犠牲層をウェットエッチングで除去する工程と、該ウェットエッチングで用いたエッチング液を置換液で置換する工程と、前記センシングエレメントに、前記第1層へ向かう方向と反対方向の加速度をセンシングエレメントに印加した状態で、該センシングエレメントに付着した前記置換液を除去し、前記センシングエレメントを乾燥する工程と、前記保護膜をドライエッチングで除去する工程とを含むことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

FI (2件)：

H01L 29/84 A ,  G01L 9/04 101

Fターム (17件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055CC11 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA32 ,  4M112DA04 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06