特許

J-GLOBAL ID：200903012875086867

MOS構造を有する半導体装置の製造方法

発明者： 戸板 真人
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367164
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170951
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体基体上に形成されるMOS型電解効果トランジスタ(MOSFET)の1/fノイズを低減し且つその面積縮小を図る。【解決手段】 シリコン基板1上に素子分離領域2を形成し、Nウェル層3を形成した後、アクティブ領域に犠牲酸化膜4を形成し、しきい値電圧Vth調整用のイオン注入を行った後、フッ化水素酸を用いて犠牲酸化膜4を除去する。続いて、シリコン基板1表面を、水が70〜95容量%、30重量%アンモニア水が1〜10容量%、30重量%過酸化水素水が4〜20容量%の組成の、温度が摂氏20〜90度のアンモニア過酸化水素水によって1〜60分間洗浄する。その後、アクティブ領域にゲート酸化膜6を形成しこの上にゲート電極9を形成する。前記アンモニア過酸化水素水によって洗浄を行うことによって、ゲート酸化膜6のトラップ準位が減少するから、このトラップ準位に起因する1/fノイズを低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上にゲート電極を形成してなるMOS構造を有する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を形成する前に、前記半導体基体表面を、水が70〜90容量%、30重量%アンモニア水が1〜10容量%、30重量%過酸化水素水が4〜20容量%の組成であり且つ温度が摂氏20〜90度のアンモニア過酸化水素水によって、1〜60分間洗浄するようにしたことを特徴とするMOS構造を有する半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 21/306 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (45件)：

5F038AC03 ,  5F038AC18 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EH07 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FB02 ,  5F040FC00 ,  5F043AA02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043GG10 ,  5F058BA20 ,  5F058BE10 ,  5F058BJ01 ,  5F110CC02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11