縦型半導体デバイスおよびそのようなデバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-529409
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511982
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

縦型半導体デバイス、たとえばトレンチゲートMOSFETパワートランジスタ(1)が、一導電型ドリフト領域(12)を有し、このドリフト領域(12)が、デバイスのブレークダウン電圧を増大させるための電荷補償用の互いに間隔をあけた縦型の逆導電型カラム(30)を含む。ドリフト領域(12)内のトレンチ(20)の側壁上だけに絶縁材料(31)が設けられ、トレンチ(20)の下端から逆導電型材料がエピタキシャル成長させられる。側壁絶縁材料(31)の存在は、ドレイン・ドリフト材料を横切る電荷補償カラム内のどんな欠陥をも防ぎ、したがってこれはデバイス(1)内のあらゆる過剰なリーク電流を防ぐ。また絶縁材料(31)は、トレンチ側壁上でのエピタキシャル成長も防ぎ、したがって電荷補償の精度を減少させることになるボイドのトレンチ内での形成を実質的に防ぐ。この方法によるエピタキシャル成長は、うまく制御されることができ、主要上面(10a)よりも下の上方高さ(21)で停止されてもよい。したがって、補償カラム(30)より上にある同じトレンチ(20)内に、たとえば20個のトレンチゲート22、23が形成されてもよい。

請求項（抜粋）：

デバイスの主要上面と主要下面との間を縦方向に順電流が流れるように構成される半導体デバイスを製造する方法であって、前記デバイスが一導電型材料からなるドリフト領域を有し、前記ドリフト領域が、前記デバイスの逆ブレークダウン電圧を増大させるための電荷補償を提供する互いに間隔をあけた縦型の逆導電型材料カラムを含み、前記方法が前記主要上面から前記一導電型ドリフト領域材料に縦型トレンチをエッチングすること、その後、前記互いに間隔をあけた逆導電型カラム用に前記トレンチ内に材料を設けることを含み、前記方法が、前記エッチングされたトレンチの側壁上に絶縁材料を設けること、および、その後前記逆導電型材料を前記トレンチの下端から上端に向かってエピタキシャル成長させることを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 653A

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