特許

J-GLOBAL ID：200903012882131436

薄膜EL素子の製造方法

発明者： 田中 義人
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012619
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205877
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 薄膜EL素子の硫化物発光層を、設備投資的に有利にして、かつ、発光層の結晶組成を良好にして熱処理する製造方法の提供。【構成】 密閉容器(3)内にEL素子(1)と硫黄発生源(2)を収納し、密閉容器(3)とその内部をヒータ(6)で500°C〜650°Cに加熱して、EL素子(1)の硫化物発光層を熱処理する。密閉容器(3)は、ステンレス、セラミック、石英などの耐熱耐蝕材料であり、硫黄発生源(2)は、硫黄固形物か硫化水素の気体が適当である。密閉容器(3)内にアルゴンなどの不活性ガスを封入しておいて、ヒータ(6)で密閉容器(3)とその内部を加熱し、この加熱温度を約2時間維持させると、EL素子(1)の硫化物発光層の結晶性が良くなり、輝度が上がる。また、EL素子(1)より温度の低い硫黄凝縮部(4)を形成することにより、降温時に硫黄がEL素子(1)の表面に凝縮することがなく、硫黄膜除去作業が不要になる。

請求項（抜粋）：

表面に硫化物発光層を有するEL素子と、前記発光層に硫黄を供給するための硫黄発生源とを、密閉容器内で500°C〜650°Cに加熱する熱処理工程を有することを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14