酸化硅素膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140664
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335325
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】シリコンの熱酸化が不可能な低温工程で良質な酸化膜を得る。【解決手段】気相堆積法にて酸化硅素膜を堆積した後、該酸化硅素膜を水素のハロゲン化物を含む雰囲気下にて熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

気相堆積法にて酸化硅素膜を堆積する第一工程と、該酸化硅素膜を水素のハロゲン化物を含む雰囲気下にて熱処理を施す第二工程とを少なくとも含む事を特徴とする酸化硅素膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 P , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

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