特許

J-GLOBAL ID：200903012887375619

半導体集積回路の製造方法

発明者： 吉井 光一
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075032
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283406
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホールの形成後の熱処理の際のBPSG膜から基板表面への不純物拡散を防ぐ。【構成】コンタクトホールの形成過程において、BPSG膜1をフォトレジスト6をマスクとして等方性のエッチングを行ないフォトレジスト6を除去し、熱処理を行なった後に異方性のエッチングを行ないコンタクトホールを形成する。【効果】これにより、熱処理中にBPSG膜1から発生するボロン,リンの不純物が基板上の不純物拡散層表面に拡散することが防止でき、コンタクトホールにおける電気的特性の悪化を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された半導体基板上に、ガラス膜をその表面に有する絶縁層を形成する工程と、フォトレジストをマスクとして前記絶縁層のコンタクトホール形成領域に該絶縁層の膜厚の途中まで等方性エッチングを行う工程と、前記フォトレジストを除去する工程と、前記半導体基板の表面が露出していない状態で熱処理を行ない前記等方性エッチングによって生成された前記ガラス膜の角部を丸める工程と、しかる後に、全面に異方性エッチングを行って前記絶縁層のコンタクトホール形成領域に前記半導体基板の表面が露出するコンタクトホールを形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-032651
  
• 特開昭56-118355
  
• 特開昭63-111668