特許
J-GLOBAL ID:200903012888235411
光電変換素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-046570
公開番号(公開出願番号):特開2000-243994
出願日: 1999年02月24日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】 有用な光電変換素子を提供する。【解決手段】 この光電変換素子は、入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、pn接合は互いに隣接したp型Cu2O領域1p及びn型TiO2領域1nを備えており、光電変換効率を向上させることができる。
請求項(抜粋):
入射光に感応してキャリアを発生するpn接合を備えた光電変換素子において、前記pn接合は互いに隣接したp型Cu2O領域及びn型TiO2領域を備えることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 31/04 E
, H01L 31/10 A
Fターム (14件):
5F049MA02
, 5F049MB01
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049PA04
, 5F049PA07
, 5F049PA15
, 5F049SE04
, 5F051AA07
, 5F051AA16
, 5F051CB12
, 5F051CB15
, 5F051DA03
, 5F051FA04
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