金属ナノ粒子低対称性二次元超格子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐伯憲生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-161930
公開番号（公開出願番号）：特開2004-358629
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】本発明は、塩基性配位子保護金属ナノ粒子を用い、配位子の種類を変えることなく、四回対称正方晶構造又は三回対称擬似ハニカム構造等のナノ粒子低対称性二次元超格子を創製しようとするものである。【解決手段】本発明は、塩基性配位子、例えば下記一般式[1]【化1】(式中、Rはアルキル基を表し、nは正の整数を表す。)で示されるベンジルジアルキルアミン誘導体等で保護された金属ナノ粒子を有機溶媒中に分散させ、これを有機酸で処理することにより得られた金属ナノ粒子を水に溶解し、該水溶液を親水性の基板上に添加、塗布、乾燥させることにより自己組織化させることを特徴とする、ナノ粒子低対称性二次元超格子の製造方法に関する。また、本発明は、塩基性配位子で保護された金属ナノ粒子の表面を有機酸で修飾してなる金属ナノ粒子に関する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

塩基性配位子で保護された金属ナノ粒子を用い、有機酸でナノ粒子の表面を修飾することにより、配位子の種類を変えることなく、ナノ粒子低対称性二次元超格子を製造する方法。

IPC (5件)：

B82B3/00 , B82B1/00 , C23C30/00 , H01L29/06 , H01L51/00

FI (5件)：

B82B3/00 , B82B1/00 , C23C30/00 Z , H01L29/06 601N , H01L29/28

Fターム (8件)：

4K044AA06 , 4K044AA16 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BB03 , 4K044BB11 , 4K044BC14 , 4K044CA53

引用特許：

審査官引用 (1件)

微細空間にナノ粒子を導入する方法およびその方法を用いて作製された構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-212394 出願人：富士写真フイルム株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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