特許
J-GLOBAL ID：200903012898089170

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
渡邉 純一

渡邉 純一 について

, 
三輪 哲徳

三輪 哲徳 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324340
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158714
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】膜の配向性が安定するようにTi膜を形成できる半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること【解決手段】チタンスパッタ用のチャンバ50と、チャンバ50に連通して設けられ、該チャンバ50内の水蒸気が吸着されるコールドトラップ58と、チャンバ50内の水蒸気量を監視して該水蒸気量のモニター信号を出力する四重極質量分析器(水蒸気量監視部)62と、コールドトラップ58の温度を制御する制御部63と、を備え、制御部63が、モニター信号に基づいてコールドトラップ58の設定温度を変え、モニター信号の値が所定範囲内に収まるようにすることを特徴とする半導体製造装置による。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チタンスパッタ用のチャンバと、 前記チャンバに連通して設けられ、該チャンバ内の水蒸気が吸着されるコールドトラップと、 前記チャンバ内の水蒸気量を監視して該水蒸気量のモニター信号を出力する水蒸気量監視部と、 前記コールドトラップの温度を制御する制御部と、 を備え、 前記制御部が、前記モニター信号に基づいて前記コールドトラップの設定温度を変え、前記モニター信号の値が所定範囲内に収まるようにすることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L27/105
FI (4件)：
H01L21/285 S ,  C23C14/14 D ,  C23C14/34 M ,  H01L27/10 444C
Fターム (24件)：
4K029AA06 ,  4K029BA17 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029EA03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD41 ,  4M104GG16 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (2件)

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