特許

J-GLOBAL ID：200903012898990978

配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造

発明者： 米倉 秀人 ,  山口 浩一 ,  浜田 紀彰 ,  窪田 武志 ,  國松 廉可
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-195206
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017904
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】有機樹脂を含有する外部電気回路基板に対する電気的接続が不安定であり、また高熱膨張の絶縁基板を高品質で且つ安価に製造する方法について検討されていない。【解決手段】Cuなどのメタライズ配線層を絶縁基板の表面あるいは内部に配設した配線基板あるいは半導体素子収納用パッケージにおいて、絶縁基板をLi2Oを5〜30重量%含有し、屈伏点が400°C〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体により構成し、これを少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に実装する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が、Li2 Oを5〜30重量%含有し、屈伏点が400°C〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーを80〜20体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H05K 1/03 610 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-012091
  
• 特開昭60-240189
  
• ガラスセラミックス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-217419   出願人：三井鉱山株式会社