トンネル接合構造を組み込んだGaAsベースの長波長レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：古谷聡 , 溝部孝彦 , 西山清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-133673
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336039
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】 GaAsを主材料とするレーザで利用することができる電圧降下の小さいトンネル接合構造を有する発光デバイスを提供する。【解決手段】本発明の発光デバイスは、ガリウム砒素からなる基板(120)と、n型の間隙層(114)及びp型の間隙層(116)からなる活性領域(112)と、p型の間隙層に隣接するp型のトンネル接合層(106)及びn型のトンネル接合層(104)及びp型のトンネル接合層とn型のトンネル接合層との間のトンネル接合からなるトンネル接合構造(102)とを備え、p型のトンネル接合層(106)が、ガリウムと砒素を含むp型の第1の半導体材料からなる層よりなり、n型のトンネル接合層(104)が、インジウム、ガリウム、リンを含むn型の第2の半導体材料からなる層よりなることを特徴とする。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

ガリウム砒素からなる基板(120)と、 n型の間隙層(114)及びp型の間隙層(116)からなる活性領域(112)と、前記p型の間隙層に隣接するp型のトンネル接合層(106)及び、n型のトンネル接合層(104)及び、前記p型のトンネル接合層と前記n型のトンネル接合層の間のトンネル接合からなるトンネル接合構造(102)とを備え、前記p型のトンネル接合層(106)が、ガリウムと砒素を含むp型の第1の半導体材料からなる層よりなり、前記n型のトンネル接合層(104)が、インジウム、ガリウム、リンを含むn型の第2の半導体材料からなる層よりなる発光デバイス(100)。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (12件)：

5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC52 , 5F173AG20 , 5F173AH02 , 5F173AJ06 , 5F173AP67 , 5F173AR23 , 5F173AR64 , 5F173AS01

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