特許

J-GLOBAL ID：200903012905117541

半導体用絶縁膜等及びそれらの形成方法

発明者： 南波 洋一 ,  松井 二三雄
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235388
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055201
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 高温加熱時の脱ガス、収縮、及び吸湿性について改良された半導体の多層配線化のための絶縁膜、平坦化膜及びそれらの形成方法を提供する。【構成】 メチル基またはフェニル基を側鎖とするポリオルガノシルセスキオキサンであって、数平均分子量が500〜10,000であり、末端基として水酸基を0.3〜6重量%、アルコキシ基を0.9〜16重量%含有するものの有機溶剤溶液を基板配線上にコーティングし、加熱硬化させる。【効果】 平坦化に優れ、比較的低い温度で加熱硬化しうる。硬化収縮が小さく、また硬化反応の完結性が高く、高温加熱時の脱ガス、収縮も少ない。

請求項（抜粋）：

一般式(I)で示される数平均分子量が500〜10,000であり、末端基として水酸基を0.3〜6重量%と、アルコキシ基を0.9〜16重量%、かつ両者のモル比が1:0.2〜2.0の範囲に含有しているポリオルガノシルセスキオキサンを加熱キュアしたことを特徴とする半導体用絶縁膜または平坦化膜。【化1】(一般式(I)においてR1 はメチル基またはフェニル基、R2 は炭素数1〜3のアルキル基または水素原子を示し、nは分子量に対応する正の数であり、分散を伴う集合体を示す。)

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C08G 77/18 NUG ,  C08G 77/32 NUE ,  H01B 3/46