化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211538
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297095
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】 1回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製すること課題とする。【解決手段】基板11の一面上に活性層を形成すべく複数の半導体薄膜層からなる半導体層4を積層形成し、半導体層4の上面に一方の電極33を設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、他方の電極33がコンタクトされる第1の半導体薄膜層13を露出するために第1の半導体薄膜層13上の半導体膜を除去して露出領域10を形成し、露出領域10に基板11及び第1の半導体薄膜層13を貫く貫通孔2をレーザ加工により設け、貫通孔2に導電性材料3を設け、導電性材料3と電気的に接続されると共に露出領域10に位置する第1の半導体薄膜層13とオーミックコンタクトするオーミック電極31を形成し、絶縁性基板11の他面に設けた電極33と第1の半導体薄膜層13を貫通孔2に設けた導電性材料3とオーミック電極31を介して電気的に接続する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一面上に活性層を形成すべく複数の半導体薄膜層からなる半導体層を積層形成し、この半導体層の上面に一方の電極を設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、他方の電極がコンタクトされる第1の半導体薄膜層を露出するために第1の半導体薄膜層上の半導体膜を除去して露出領域を形成し、この露出領域に前記絶縁性基板及び第1の半導体薄膜層を貫く貫通孔をレーザ加工により設け、前記貫通孔に電気的パスを形成し、前記電気的パスと電気的に接続されると共に前記露出領域に位置する前記第1の半導体薄膜層とオーミックコンタクトするオーミック電極を形成し、前記絶縁性基板の他面に設けた電極と前記第1の半導体薄膜層を前記貫通孔に形成した電気的パスと前記オーミック電極を介して電気的に接続することを特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (17件)：

5F041AA03 , 5F041AA42 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA82 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-326329 出願人：ローム株式会社

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