特許
J-GLOBAL ID:200903012913239044

洗浄組成物及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-069856
公開番号(公開出願番号):特開平7-324198
出願日: 1995年03月28日
公開日(公表日): 1995年12月12日
要約:
【要約】【構成】 水を電気分解してなる電解イオン水とフッ素化合物(例えば、フッ酸およびフッ化アンモニウムのうちから選ばれる少なくとも一種)とを含有することを特徴とする洗浄組成物及び該洗浄組成物を用いる半導体基板の洗浄方法。【効果】 フッ素化合物の効果により金属汚染に対して非常に良好な洗浄力を発揮するため、電気特性の劣化を引き起こすことがない。また、安全でかつ、廃水処理コストも大幅に低減できる。
請求項(抜粋):
水を電気分解してなる電解イオン水とフッ素化合物とを含有することを特徴とする洗浄組成物。
IPC (4件):
C11D 7/08 ,  C11D 7/10 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-179737
  • 洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-244971   出願人:株式会社東芝

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