特許
J-GLOBAL ID:200903012914852009

薄形ICチップの製造方法及び製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武 顕次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-063120
公開番号(公開出願番号):特開平11-260770
出願日: 1998年03月13日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 厚みが100μm以下という薄形のICチップを高能率かつ高精度に製造する方法及び装置を提供する。【解決手段】 ?@完成ウェハ1のパターン面を第1の粘着剤フィルム2に貼り付ける、?A完成ウエハの基板面を粗研摩してウエハ厚を200μm以下の所要の厚さにする、?B粗研摩済みの完成ウエハ1aの基板面を仕上げ研摩してウエハ厚を100μm以下の所要の厚さにする、?C仕上げ研摩済みの完成ウエハ1bの基板面を第2の粘着剤フィルム11に貼り付ける、?D第1の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施した後、第1の粘着剤フィルムを仕上げ研摩済みの完成ウエハ1bから剥離する、?E第2の粘着剤フィルムに貼り付けられた完成ウエハをダイシングして薄形化されたICチップを得る、?F第2の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施した後ダイシングされたICチップ7を取り出す。
請求項(抜粋):
シリコンウェハの片面に所要のウェハプロセスを施すことにより完成された完成ウェハのパターン面を第1の粘着剤フィルムに貼り付ける工程と、当該完成ウエハの基板面を粗研摩してウエハ厚を200μm以下の所要の厚さにする工程と、当該粗研摩済みの完成ウエハの基板面を仕上げ研摩してウエハ厚を100μm以下の所要の厚さにする工程と、当該仕上げ研摩済みの完成ウエハの基板面を第2の粘着剤フィルムに貼り付ける工程と、前記第1の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施して前記仕上げ研摩済みの完成ウエハから剥離する工程と、前記第2の粘着剤フィルムに貼り付けられた前記完成ウエハをダイシングして薄形化されたICチップを得る工程と、前記第2の粘着剤フィルムに粘着力低下処理を施してダイシングされた前記ICチップを取り出す工程を含むことを特徴とする薄形ICチップの製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/301
FI (5件):
H01L 21/304 622 L ,  H01L 21/304 622 Z ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 P

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