特許
J-GLOBAL ID：200903012919056081
多層配線基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062288
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267392
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 半田ボールを介して半導体チップを接続する薄膜多層配線基板において、半田フローの際の熱応力や熱歪の発生を防止し電極の破断寿命を延ばす。【構成】 半導体ボール搭載用電極を、薄膜多層配線基板3の中心に対して点対称または線対称に配置する。これらの電極は、半導体チップに有効な電気接続をする(接続の必要な)電極(白丸4)と、無効の(ダミーの)電極(黒丸7)とを含み、有効電極4の中に孤立電極6(隣接格子点に1つも有効電極のないもの)も含む。これらすべての電極により対称化(点対称または線対称)される。これら電極はすべてスルーホールを通じて基板裏の配線に電気接続して電気的な孤立も避ける。
請求項（抜粋）：
半田ボ-ルを介して半導体チップを接続する多層配線基板において、半田ボ-ル搭載用電極を基板の中心に対し点対称、もしくは線対称、もしくは点対称かつ線対称に配置した多層配線基板。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H05K 3/46
