特許
J-GLOBAL ID：200903012920598459
強磁性スピントンネル効果素子
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023256
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206513
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】強磁性スピントンネル効果素子の素子安定性を向上させること。【解決手段】第1強磁性薄膜12と第2強磁性薄膜14とを絶縁層13を介して対向させ、第2強磁性薄膜14の上に強磁性絶縁層21を介して希薄磁性半導体層22を形成した。この希薄磁性半導体層22へ注入される電子のスピンの方向を制御することで、第2強磁性薄膜14だけを意図した方向に磁化させることができる。これにより磁場検出の制御性が向上し、記憶装置、電流変調素子への応用が拡大される。
請求項（抜粋）：
第1強磁性体と第2強磁性体とを絶縁層を介して対向させ、前記第1強磁性体と前記第2強磁性体との間の磁化方向の関係によって前記絶縁層を介して流れるトンネル電流が変化する強磁性スピントンネル効果を用いた素子において、前記第1強磁性体と前記第2強磁性体の少なくとも一方の上面に強磁性絶縁体を介して、前記強磁性絶縁体が直接、接合する前記第1強磁性体又は前記第2強磁性体の磁化方向を制御する磁化方向制御層を設けたことを特徴とする強磁性スピントンネル効果素子。
IPC (4件)：
G01R 33/06
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/08
G01R 33/06 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/08 Z
