特許

J-GLOBAL ID：200903012920614659

成膜方法、真空成膜装置の制御装置、及び真空成膜装置

発明者： 床本 勲
出願人/特許権者： 新明和工業株式会社
代理人 (1件)： 角田 嘉宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006231
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212712
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 イオンプレーティングにより成膜するにあたり、プラズマ放電を安定して維持させるように成膜条件の制御を行うことである。【解決手段】 真空チャンバ内に配置された基板にイオンプレーティングにより成膜するにあたり、以下の工程により行う。基板への成膜を第一のガス圧力G1下で第一の高周波電力P1を供給してする主工程IIと、主工程IIに先駆けて所定のガス圧力下で所定の高周波電力を供給してプラズマ放電を生成させる予備工程Iとを含む工程によって行う。予備工程Iにおいて、その開始時のガス圧力を第一のガス圧力G1より大きくし、その開始時の高周波電力を前記第一の高周波電力P1以上とする。そして、主工程IIの開始時までに、ガス圧力を第一のガス圧力G1にまで減少させ、高周波電力を第一の高周波電力P1に調整する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内を所定のガス圧力とし、少なくとも所定の高周波電力を前記真空チャンバ内に供給して前記真空チャンバ内に配置された基板にイオンプレーティングにより成膜する成膜方法であって、前記基板への成膜を第一のガス圧力下で第一の高周波電力を供給してする主工程と、該主工程に先駆けて所定のガス圧力下で所定の高周波電力を供給してプラズマ放電を生成させる予備工程とを含んでなり、前記予備工程において、その開始時のガス圧力を前記第一のガス圧力より大きくし、その開始時の高周波電力を前記第一の高周波電力以上とし、前記主工程の開始時までに、ガス圧力を前記第一のガス圧力にまで減少させ、高周波電力を前記第一の高周波電力に調整することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 14/32 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 14/32 B ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/285 B ,  H05H 1/46 A

Fターム (16件)：

4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075BC03 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA11 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075FC11 ,  4K029CA03 ,  4K029DD02 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09 ,  4K029FA05 ,  4M104DD36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭52-052269
  
• 特開昭52-020294
  
• 特開昭61-196201