特許

J-GLOBAL ID：200903012920974981

シリコンウエハの評価方法および半導体装置の製造方法

発明者： 棚橋 克人 ,  金田 寛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178099
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019445
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】非破壊的方法であり、迅速、確実にシリコンウエハ中の窒素濃度を把握できるシリコンウエハの評価方法および、迅速、確実にシリコンウエハ中の窒素濃度を把握して、歩留まりよく半導体装置を生産することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】熱処理した評価対象シリコンウエハにシリコンのバンドギャップよりも大きい光子エネルギーを有するレーザ光を照射し、評価対象シリコンウエハから発せられるシリコンのフォトルミネッセンス光の特定の波長における強度から、評価対象シリコンウエハ中の窒素濃度を求める。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

熱処理した評価対象シリコンウエハにシリコンのバンドギャップよりも大きい光子エネルギーを有するレーザ光を照射し、当該評価対象シリコンウエハから発せられるシリコンのフォトルミネッセンス光の特定の波長における強度から、当該評価対象シリコンウエハ中の窒素濃度を求める、シリコンウエハの評価方法。

IPC (2件)：

H01L21/66 ,  G01N21/64

FI (2件)：

H01L21/66 N ,  G01N21/64 Z

Fターム (21件)：

2G043AA01 ,  2G043BA07 ,  2G043CA07 ,  2G043EA01 ,  2G043GA08 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CA19 ,  4M106CB01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DH56 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20