特許
J-GLOBAL ID：200903012928305051

包接分子を含有するシクロデキストリンを含むリソグラフィー用下層膜形成組成物

発明者：
竹井 敏

竹井 敏 について

, 
新城 徹也

新城 徹也 について


出願人/特許権者：
日産化学工業株式会社

日産化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-082921
公開番号（公開出願番号）：特開2007-256773
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、半導体基板上のホールの充填性に優れた有機下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 包接分子を含有するシクロデキストリンを含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。包接分子はハロゲン分子、酸分子、塩基分子、酸発生剤、又は塩基発生剤である。シクロデキストリンは、シクロデキストリンに含有する水酸基を有機基に置き換えた化学修飾シクロデキストリンである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
包接分子を含有するシクロデキストリンを含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/11 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/11 503 ,  H01L21/30 574
Fターム (10件)：
2H025AA00 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025DA39 ,  2H025DA40 ,  2H025FA41 ,  5F046PA07
引用特許：
出願人引用 (12件)
  • 米国特許第5919599号明細書
  • 特開昭60-223121号公報
  • 反射防止膜材料およびパターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300650   出願人：信越化学工業株式会社
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審査官引用 (1件)

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