特許

J-GLOBAL ID：200903012928502914

レーザーアニール処理装置

発明者： 川原 和之 ,  澤井 美喜 ,  加藤 修 ,  丸木 祐治
出願人/特許権者： 株式会社日本製鋼所
代理人 (1件)： 有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-193177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-040500
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【課題】 エキシマレーザー導入用窓(5)の直下の被処理体(M)の部分で温度が大きく低下することを防止する。【解決手段】 真空チャンバ(1)内で且つエキシマレーザー導入用窓(5)の周辺部に、赤外線反射板(10)を設ける。エキシマレーザー導入用窓(5)の直下の非晶質半導体薄膜(M1)の部分から放射された熱の一部(赤外線Ie)はエキシマレーザー導入用窓(5)を通して外部へ逃げるが、他の一部(赤外線Ir)は赤外線反射板(10)で反射されて当該部分へ戻る。【効果】 被処理体(M)の予熱を良好に行うことが出来るので、被処理体(M)のアニール処理を好適に行うことが出来る。

請求項（抜粋）：

被処理体(M)を収容する真空チャンバ(1)と、この真空チャンバ(1)内に設けられ且つ前記被処理体(M)を予熱する予熱手段(3)と、前記真空チャンバ(1)外に設けられ且つレーザービーム(R)を発生するレーザー発生手段(6)と、前記真空チャンバ(1)の壁面(1a)に設られ且つ前記被処理体(M)に照射するために前記レーザービーム(R)を前記真空チャンバ(1)の外部から内部に導入するためのレーザー導入用窓(5)とを具備するレーザーアニール処理装置において、前記真空チャンバ(1)内で且つ前記レーザー導入用窓(5)の周辺部に、前記レーザー導入用窓(5)の直下の前記被処理体(M)の部分から放射された赤外線を反射して当該部分に戻す赤外線反射手段(10)を設けたことを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。

IPC (3件)：

C30B 35/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

C30B 35/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z