特許
J-GLOBAL ID:200903012928656300

新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝田 清暉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-242101
公開番号(公開出願番号):特開平6-287174
出願日: 1993年09月02日
公開日(公表日): 1994年10月11日
要約:
【要約】【目的】ポジ型レジスト用として使用する酸発生剤として好適な、新規なオニウム塩を提供すること、及びそれを用いた、従来にない、高感度、高解像性、及び優れたプロセス適性を有する、高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】一般式(R)3 S+ Mで表される新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはt-アルコキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。
請求項(抜粋):
一般式(R)3 S+ Mで表される新規なオニウム塩;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはt-アルコキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。
IPC (7件):
C07C381/12 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 LEK

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