特許

J-GLOBAL ID：200903012931357046

電界放出形電子源

発明者： 高木 俊宜 ,  伊藤 茂生 ,  渡辺 照男
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-345609
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182966
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 カソード電極と各エミッタコーン間との抵抗値がほぼ一定とされると共に、実装密度を向上した電界放出形電子源を提供すること。【構成】 絶縁性の基板1上にストライプ状のカソード電極2を形成し、このカソード電極2に窓開け加工を行い、開けられた窓内に第1抵抗層3,第2抵抗層7を形成すると共に、その上に絶縁層4およびゲート電極5を形成する。ゲート電極5と絶縁層4とに開口部を設け、この開口部内にエミッタコーン6を形成する。第2抵抗層3の抵抗値を第1抵抗層7の抵抗値より低くすることにより、カソード領域内のエミッタコーン6-1〜6-3のエミッションを均一化する。

請求項（抜粋）：

カソード電極の領域内に導体部のない窓を設け、該窓内に抵抗層を設けると共に、この抵抗層上に複数の円錐状のエミッタを配設した電界放出形電子源において、この抵抗層の中央部の抵抗値を周辺部の抵抗層の抵抗値より低く設定したことを特徴とする電界放出形電子源。