特許

J-GLOBAL ID：200903012933516176

ダイオード兼用抵抗素子を具備する相変化RAM、その製造及び動作方法

発明者： 金 基俊 ,  姜 閏浩 ,  盧 振瑞
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-025577
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214565
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】ダイオード兼用抵抗素子を具備する相変化RAM、その製造及び動作方法を提供する。【解決手段】基板、基板上に形成された相変化ダイオード層、及び相変化ダイオード層上に形成された上部電極を備えることを特徴とするダイオード兼用抵抗素子を具備する相変化RAMであり、該相変化ダイオード層は、第1不純物のドーピングされた物質層と相変化層とが順次に積層されたものであるが、相変化層自体は、第1不純物と反対のタイプの不純物がドーピングされた半導体物質の特性を示す相変化物質からなりうる。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された相変化ダイオード層と、 前記相変化ダイオード層上に形成された上部電極とを備えることを特徴とする相変化RAM。

IPC (1件)：

H01L 27/105

FI (1件)：

H01L27/10 448

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR25