特許

J-GLOBAL ID：200903012934011590

半導体装置の製造方法

発明者： 杉原 利典 ,  小林 和樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096288
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289910
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 シリコン半導体層またはシリコンコンタクト層の表面の自然酸化膜および有機物を除去して、その上にシリコンコンタクト層またはシリコン半導体層を積層する。【解決手段】 半導体層5の上に、半導体層5と電気的コンタクトするオーミックコンタクト層6、7を形成する半導体装置の製造方法であって、透明絶縁基板2上に半導体層5を形成した後、半導体層5の表面をフッ素化合物系ガスまたはフッ素化合物系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングを行い、その後、オーミックコンタクト層6、7を積層する。

請求項（抜粋）：

半導体層の上に、前記半導体層と電気的コンタクトするコンタクト層を形成する半導体装置の製造方法において、基板上に前記半導体層を形成した後、前記半導体層の表面をフッ素化合物系ガスまたはフッ素化合物系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングを行い、その後、コンタクト層を積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 616 K