特許

J-GLOBAL ID：200903012934234786

磁化状態の測定方法

発明者： 高田 昭夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127222
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 ナノメートル・オーダーの分解能をもって例えばマイクロメートル・オーダーの寸法の被測定物における磁化状態の変化を測定することを可能とし、例えば被測定物がウェハー上に形成された薄膜磁気ヘッドである場合に、各薄膜磁気ヘッド間における磁気特性のばらつきを検知することができる磁化状態の測定方法を提供する。【解決手段】 MFM1の探針12のみが存する場合における外部磁場に対する当該探針12の共振周波数の変化を第1の測定値とし、磁性材料よりなる被測定物が存する場合における外部磁場に対する当該探針12の共振周波数の変化を第2の測定値として、第2の測定値から第1の測定値を差し引いた値を算出する。

請求項（抜粋）：

磁性体の探針を被測定物である磁性材料上で走査させることにより当該被測定物上の磁気力勾配を検出し磁化状態を測定するに際して、上記探針に予め所定の外部磁場を印加させて当該外部磁場に対する上記探針の応答を検出して第1の測定値とした後に、上記外部磁場を被測定物に印加した状態で上記探針を当該被測定物上で走査させ上記探針の応答を検出して第2の測定値とし、第2の測定値から第1の測定値を差し引くことにより上記外部磁場に対する上記被測定物の磁気的変化を算出することを特徴とする磁化状態の測定方法。

IPC (7件)：

G01R 33/10 ,  G01N 27/72 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/12 ,  G11B 5/00 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/455

FI (7件)：

G01R 33/10 ,  G01N 27/72 ,  G01R 33/02 F ,  G01R 33/12 Z ,  G11B 5/00 D ,  G11B 5/31 M ,  G11B 5/455 C