半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243826
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】基板上の酸化膜厚を薄くすることなく、放熱効果を持った半導体装置を得る。【解決手段】絶縁性基体上に半導体層が形成され、半導体層はアイソレーション領域1、2で素子分離されてなる半導体装置において、アイソレーション領域は配線層5を介してリードフレームに接続されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基体上に半導体層が形成され、該半導体層はアイソレーション領域で素子分離されてなる半導体装置において、前記アイソレーション領域は配線層を介してリードフレームに接続されていることを特徴とする半導体装置。

Fターム (7件)：

5F032AA06 , 5F032AA07 , 5F032AA09 , 5F032BB03 , 5F032CA17 , 5F032DA60 , 5F032DA71

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