特許

J-GLOBAL ID：200903012940265790

記憶媒体基板、それからなる記憶媒体および記憶媒体の製造方法

発明者： 石王 敦 ,  宮本 和樹 ,  坂井 秀敏
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140432
公開番号（公開出願番号）：特開2002-331594
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】【課題】 優れた耐熱性、表面平滑性、剛性および平面性を有する記憶媒体基板、それからなる記憶媒体およびその製造方法の提供。【解決手段】 ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる基板であって、220°C以上280°C以下の温度でアニール処理が施された記憶媒体基板。

請求項（抜粋）：

ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる基板であって、220°C以上280°C以下の温度でアニール処理が施されていることを特徴とする記憶媒体基板。

IPC (11件)：

B29C 71/00 ,  B29C 45/72 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08K 3/00 ,  C08L 81/02 ,  G11B 5/73 ,  B29K 81:00 ,  B29K 83:00 ,  B29K105:16 ,  B29L 7:00 ,  B29L 31:36

FI (11件)：

B29C 71/00 ,  B29C 45/72 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08K 3/00 ,  C08L 81/02 ,  G11B 5/73 ,  B29K 81:00 ,  B29K 83:00 ,  B29K105:16 ,  B29L 7:00 ,  B29L 31:36

Fターム (44件)：

4F071AA62 ,  4F071AB18 ,  4F071AB21 ,  4F071AB24 ,  4F071AB26 ,  4F071AH14 ,  4F071BB05 ,  4F071BC01 ,  4F201AA11 ,  4F201AA34 ,  4F201AB16 ,  4F201AB25 ,  4F201AG01 ,  4F201AH38 ,  4F201BA07 ,  4F201BC01 ,  4F201BC02 ,  4F201BC15 ,  4F201BC37 ,  4F201BD04 ,  4F201BR02 ,  4F201BR08 ,  4F206AA34 ,  4F206AH38 ,  4F206AH79 ,  4F206JA07 ,  4J002CN011 ,  4J002DA016 ,  4J002DE106 ,  4J002DE146 ,  4J002DE186 ,  4J002DE236 ,  4J002DG046 ,  4J002DG056 ,  4J002DJ006 ,  4J002DJ026 ,  4J002DK006 ,  4J002DL006 ,  4J002FA046 ,  4J002FD016 ,  4J002GS02 ,  5D006CB01 ,  5D006CB05 ,  5D006CB07