特許

J-GLOBAL ID：200903012941267380

面発光半導体レーザ

発明者： 大礒 義孝 ,  小濱 剛孝 ,  黒川 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120610
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 低しきい値電流でレーザ発振でき、かつ容易に室温で連続発振できる面発光半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1半導体多層膜7と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1誘電体多層膜8とを有する第1光反射層12と、n型クラッド層4と、活性層5とp型クラッド層6と、2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2半導体多層膜3と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2の誘電体多層膜11とを有する第2反射層13と、を含み、第1光反射層12の第1誘電体多層膜8は、基板10上の誘電体膜9に融着されている。

請求項（抜粋）：

2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1の半導体多層膜と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1の誘電体多層膜とを有する第1の光反射層と、該第1の光反射層の上に順次設けられたn型クラッド層、活性層およびp型クラッド層と、該p型クラッド層の上に設けられ、かつ2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2の半導体多層膜と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2の誘電体多層膜とを有する第2の反射層と、を含み、前記第1の光反射層の前記第1の誘電体多層膜は、表面に誘電体膜を有する基板の該誘電体膜に融着されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。