特許
J-GLOBAL ID:200903012942017140

高温一酸化炭素気体からの単層カーボンナノチューブの結晶核形成および成長

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 社本 一夫 ,  今井 庄亮 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  戸水 辰男
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-579530
公開番号(公開出願番号):特表2004-517789
出願日: 1999年11月03日
公開日(公表日): 2004年06月17日
要約:
本発明は、予熱(例:約1000°C)済みの高圧(例:30気圧)COの供給、および混合領域において触媒前駆体の熱分解温度より低い温度に維持されたCOに触媒前駆体気体(例:Fe(CO)5)を供給する過程を開示する。 混合領域においては、触媒前駆体が、 (1)前駆体分解、(2)活性化触媒金属原子クラスタの適切な大きさへの形成、そして (3)触媒クラスタ上でのSWNTの好ましい成長、をもたらす温度に急速に加熱される。好ましくは、触媒クラスタ結晶核形成媒体を使用して、触媒全気体の急激な反応を可能にさせ、少数の大きな不活性な触媒粒子ではなく、多数の小さな活性化された触媒粒子を形成させる。そのような結晶核形成媒体には、主触媒よりさらに急激にクラスタ化する補助金属前駆体を含むことが可能であり、あるいは、クラスタ形成が望まれる領域に正確に指向された追加的なエネルギー入力(例:パルスまたは連続波レ-ザー)機構を通じても可能である。このような条件下で、SWNTの結晶核が形成され、ボードアード反応に従って成長する。形成されたSWNTは直接回収する、あるいは昇温状態(例:1000°C)に維持された成長/アニール領域を通過させ、チューブのロープへの連続成長および合体が可能になる。
請求項(抜粋):
単層カーボンナノチューブの生成方法であって、以下の過程で構成される: (a) 高圧CO気体流を提供することと、 (b) VI族,VIII族から選択された遷移金属、あるいはそれらの混合物の原子を提供することが可能な気体状の触媒前駆体を提供する、ここで該気体状触媒前駆体は、該触媒前駆体の分解温度より低い温度で提供されることと、 (c) 該高圧CO 気体流を、(i)該触媒前駆体の分解温度を超え、かつ(ii)最小ボードアード反応開始温度を超える温度に加熱し、加熱CO 気体流を形成すること、および (d) 混合領域において、該加熱CO気体流を該気体状触媒前駆体と混合し、該触媒前駆体を、(i)該触媒前駆体の分解温度を超え、(ii)触媒金属原子クラスタの急速形成を促進するのに十分であり、(iii)ボードアード反応により単層ナノチューブの成長開始を促進し、この結果として得られる生成気体流中に単層カーボンナノチューブ生成物の浮遊物を形成させるのに十分な温度に急速に加熱することからなる、単層カーボンナノチューブの生成方法。
IPC (1件):
C01B31/02
FI (1件):
C01B31/02 101F
Fターム (4件):
4G046CA01 ,  4G046CB03 ,  4G046CC02 ,  4G046CC08
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
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