特許
J-GLOBAL ID：200903012944068949
低温焼成多層回路基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298603
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114593
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 LTCC回路基板内に効果的に大容量部品を内蔵できる低温焼成多層回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁セラミックからなる絶縁体グリーンシート1の一部にフェライトペースト65を充填したビア3を形成したバルクを作製する。これを用いて部品を作製することで、回路基板内に高い複素インピーダンスを示すコイル60が得られる。また、強誘電体ペースト75を充填したビア3を形成することで、回路基板内に大容量の強誘電体積層コンデンサ75を内蔵できる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1の絶縁材料からなる絶縁基体の局所的な位置に複数の貫通ビアを形成し、前記複数の貫通ビアに前記第1の絶縁材料とは異なる第2の絶縁材料を含むペーストを充填して、前記ペーストが充填された貫通ビアの径と数とによって前記絶縁基体の積層体の電磁気特性を制御することを特徴とする低温焼成多層回路基板。
IPC (1件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5E346AA12
, 5E346CC16
, 5E346FF45
, 5E346HH06
