特許
J-GLOBAL ID：200903012945947199
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141110
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343826
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 半田バンプに作用する熱応力を軽減し、半田バンプに疲労損傷を与えないように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 配線基板4に、半田バンプ2を介在させて半導体チップ1が接続されている。半導体チップ1の周辺に、半田バンプ2を取り囲むように、環状の補強半田接合部5が設けられている。
請求項（抜粋）：
配線基板と、前記配線基板に、半田バンプを介在させて接続された半導体チップと、前記半導体チップの周辺に前記半田バンプを取り囲むように設けられた環状の補強半田接合部と、を備えた半導体装置。
Fターム (2件)：
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