特許
J-GLOBAL ID：200903012947316099
フォトマスクおよびレジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235487
公開番号（公開出願番号）：特開2000-066367
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】マスクパターンをレジスト上に投影露光する際に、パターンの疎密に依存した線幅のずれと、下地の段差に依存した線幅のずれの両方が低減されるフォトマスク(レチクル)およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】段差を有する基板上に塗布されたレジスト4に、パターンを投影露光するために用いられるフォトマスク(レチクル)5において、前記レジスト4の下地段差に応じて形成される、レジスト膜厚の異なる部分に対して、異なる補正量の補正が設計寸法に加えられているフォトマスクおよびこれを用いたレジストパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
段差を有する基板上に塗布されたレジストに、パターンを投影露光するために用いられるフォトマスク(レチクル)において、前記レジストの下地の段差に応じて形成されるレジスト膜厚の異なる部分に対して、異なる補正量の補正が設計寸法に加えられているフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
