ガスセンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾関伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-329737
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】他のガスに影響されることなく、水素ガスを選択的に検知することのできるガスセンサを提供する。【解決手段】本発明のガスセンサは、基板3上に形成されるガス検知素子1と、一対の測定端子2により構成されており、ガス検知素子1は、CuOを主成分とし、添加される貴金属化合物としては、Ag2 Oが選択されて添加されて形成される。ガス検知素子1は、気体中の含まれる水素ガスに対して、選択的に電気的抵抗値が変化する特性を有しており、測定端子2を介して、該抵抗値の変化を測定することにより、水素ガスを選択的に検知することができる。

請求項（抜粋）：

CuOを主成分とする半導体をガス検知部に備え、該ガス検知部の抵抗値変化を利用してガスの存在を検知する形式のガスセンサにおいて、前記CuOにAgを含む物質を添加したことを特徴とするガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/416 , G01N 27/12

FI (4件)：

G01N 27/46 311 H , G01N 27/12 B , G01N 27/12 C , G01N 27/46 331

Fターム (16件)：

2G046AA05 , 2G046AA11 , 2G046BA01 , 2G046BB02 , 2G046BC04 , 2G046BE03 , 2G046CA09 , 2G046DB05 , 2G046DC16 , 2G046DC17 , 2G046EA04 , 2G046EB06 , 2G046FB02 , 2G046FC01 , 2G046FE02 , 2G046FE11

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