特許
J-GLOBAL ID：200903012953804801
光導電画像形成部材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-102526
公開番号（公開出願番号）：特開2004-310089
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】高い感度を有し、優れた暗失活特性を有する光導電画像形成部材の提供。【解決手段】 光導電画像形成部材であって、支持基板と、光発生剤成分、電荷輸送成分、電子輸送成分、ポリマバインダの混合物を含む単一層と、を含む光導電画像形成部材。電荷輸送成分は、N,N’-ビス-(3,4-ジメチルフェニル)-4-ビフェニルアミン;N,N’-ビス-(4-メチルフェニル)-N,N’-ビス-(4-エチルフェニル)-1,1’,3,3’-(ジメチルビフェニル)-4,4’-ジアミン;N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(アルキルフェニル)-1,1-ビフェニル-4,4’-ジアミン;トリ-p-トリルアミンから選択され、電子輸送成分は、特定のカルボニルフルオレノンマロノニトリル、ニトロ化フルオレノン、ジイミド、チオピラン、カルボキシベンジルナフタキノン、ジフェノキノン化合物から選択される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
光導電画像形成部材であって、
支持基板と、
その上の、光発生剤成分と、電荷輸送成分と、電子輸送成分と、ポリマバインダとの混合物を含む単一層と、
を含み、
ここで前記電荷輸送成分は、N,N’-ビス-(3,4-ジメチルフェニル)-4-ビフェニルアミン;N,N’-ビス-(4-メチルフェニル)-N,N’-ビス-(4-エチルフェニル)-1,1’,3,3’-(ジメチルビフェニル)-4,4’-ジアミン;N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(アルキルフェニル)-1,1-ビフェニル-4,4’-ジアミン;およびトリ-p-トリルアミン;からなる群より選択され、
そして、前記電子輸送成分は、
次式のカルボニルフルオレノンマロノニトリル
IPC (3件)：
G03G5/06
, G03G5/04
, G03G5/05
G03G5/06 314B
, G03G5/06 311
, G03G5/06 312
, G03G5/06 314A
, G03G5/06 315Z
, G03G5/06 316Z
, G03G5/04
, G03G5/05 101
2H068AA13
, 2H068AA20
, 2H068AA31
, 2H068BA12
, 2H068BA14
, 2H068BA16
, 2H068BA63
, 2H068BA64
, 2H068BB25
, 2H068FA13
出願人引用 (8件)
-
米国特許第4,265,990号明細書
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米国特許第5,336,577号明細書
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特開昭62-209050
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審査官引用 (6件)
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