半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-277741
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114654
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 COMD現象を抑制した、高出力かつ高信頼動作の半導体レーザ装置を実現する。【解決の手段】 GaAs基板1上に、基板に格子整合するか引っ張り歪を有するIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>(0<x1≦0.3、0<y1≦0.5)活性層と、活性層よりバンドギャップが大きく、基板に格子整合するIn<SB>0.48</SB>Ga<SB>0.52</SB>P自然超格子光導波層3および5と、基板に格子整合するGa<SB>1-z1</SB>Al<SB>z1</SB>As(0.55≦z1≦0.8)クラッド層2,6,および7を設け、さらに光共振器の端面及びその近傍にBあるいはNのイオン注入とその後の加熱により無秩序化した窓構造部11を設ける。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくともクラッド層、光導波層、活性層、光導波層、およびクラッド層をこの順に積層した光共振器を構成してなる半導体レーザ装置において、前記各クラッド層が前記GaAs基板に格子整合するGa<SB>1-z1</SB>Al<SB>z1</SB>As(0.55≦z1≦0.8)とIn<SB>x3</SB>(Al<SB>z3</SB>Ga<SB>1-z3</SB>)<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>(0.3<x3<0.5,0.6<y3≦1,0<z3≦1)のいずれか一方であり、前記各光導波層が前記活性層よりバンドギャップが大きく、前記GaAs基板に格子整合し、自然超格子を形成するIn<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>Pであり、前記活性層が前記GaAs基板に格子整合するか、あるいは引っ張り歪を生じるIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>(0<x1≦0.3, 0<y1≦0.5)であって、前記活性層の前記光共振器端面及び該端面近傍に前記活性層内部よりバンドギャップの大きい窓構造部を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (11件)：

5F073AA45 , 5F073AA76 , 5F073AA86 , 5F073CA04 , 5F073CA06 , 5F073CA13 , 5F073CA19 , 5F073CB02 , 5F073CB19 , 5F073DA14 , 5F073DA35

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