特許

J-GLOBAL ID：200903012963205906

静電容量型センサ及びその製造方法

発明者： 後藤 友彰 ,  谷口 克己
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127575
公開番号（公開出願番号）：特開平9-145514
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】小型化に適し、形状の再現性がよく、特性のバラツキが少なく、信頼性が高く、特性が安定しており、製造工程が簡便で安全な静電容量型センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】リング状の肉薄部18とその内側の凸部19をもつシリコン部品11と、その外周部の片面あるいは両面に接合され、接合部分がガラスで、両面から明けられたテーパ状のスルーホール16及び16' と、その内面に形成された導電性薄膜13" によって、両面の一部に形成されている薄膜電極13及び13' が接続されているスルーホール部品17とで構成され、凸部19と薄膜電極13とで静電容量が形成される。シリコン部品11とスルーホール部品17は静電接合で接合され、凹み加工やスルーホール加工はドライエッチングによる。スルーホール部品17の材料には、ホウ硅酸ガラス、ホウ硅酸ガラスとシリコンの複合材あるいは絶縁性セラミックが使用される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンからなり、リング状の肉薄部をもち、その内側の凸部が静電容量ギャップを確保するのに必要な分だけ薄くされているシリコン部品の、少なくとも一方の面の外周部に、シリコン部品に接合される部分がガラスからなり、両側からテーパー状のスルーホールが形成され、そのスルーホールの内面に形成された導電性薄膜によって、対向する両面の一部に形成された薄膜電極が接続されているスルーホール部品が接合されることにより、シリコン部品の凸部と、接合されたスルーホール部品の薄膜電極との間に形成された静電容量ギャップを有することを特徴とする静電容量型センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/12 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84 B ,  H01L 21/302 M