特許

J-GLOBAL ID：200903012966072559

半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉田 隆幸 ,  大塚 隆 ,  藤本 博昭 ,  三村 忠昭 ,  山根 一郎 ,  山下 太紀夫 ,  松木 敏夫 ,  春日 義昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100916
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017945
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子を複数個積み重ねたシステムモジュールと呼ばれる半導体装置において、半導体素子間に誘起されるクロストークノイズを低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の電極パッド2と第1の配線層9とを有する第1の半導体素子1を第2の電極パッド6と第2の配線層10とを有する第2の半導体素子5に積み重ねた半導体装置において、第2の半導体素子5の絶縁層8上に導体層7を設ける。

請求項（抜粋）：

第1の電極パッドと第1の配線層とを主面に有する第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子と対向するように配置された第2の電極パッドと第2の配線層とを主面に有する第2の半導体素子と、前記第1の電極パッドと前記第2の電極パッドとを電気的に接続する接続部材と、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との対向する前記主面の間に重なるように配置された絶縁部材および導電部材とを備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288564   出願人：松下電器産業株式会社, 松下電子工業株式会社