特許
J-GLOBAL ID：200903012969480364
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156975
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330294
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 プラズマクリーニングのためのガスによる薄膜堆積を抑制し、高いエッチング速度で効率良くプラズマクリーニングを行う。【構成】 フロン14ガス等のクリーニング用ガスを第三のガス導入系23によって真空容器1内に導入し、電力供給機構3がベルジャー12内に供給する高周波電力によってプラズマを形成し、クリーニング用ガスをエッチング作用を利用して、真空容器1やベルジャー12の内面に堆積した薄膜を除去する。第三のガス導入系23のガス導入体232は、基板ホルダー4の基板配置面よりプラズマ形成場所から遠い位置にあり、適度に減衰したプラズマに対してクリーニング用ガスを供給するため、過度な反応が防止されてプラズマクリーニング中の薄膜堆積が抑制される。
請求項（抜粋）：
排気系を備えた真空容器と、真空容器内に所定のガスを導入するガス導入機構と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構と、形成されたプラズマによって処理される位置に基板を配置する基板ホルダーとを具備したプラズマ処理装置において、前記ガス導入機構は、前記真空容器の内面及び前記真空容器内の部材の表面に堆積した薄膜をプラズマエッチングして除去するプラズマクリーニングのためのガスを導入できるよう構成されており、当該ガス導入機構は、前記プラズマが形成される場所から基板ホルダーの基板配置面よりも遠い位置で前記プラズマクリーニングのためのガスを導入するガス導入口を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 21/31 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 N
