ドライエッチング方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156048
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】大気圧状態で生成した活性種を用いてアンダーカットを生ずることなくドライエッチングをできるようにする。【解決手段】放電ユニット20は、原料ガス源26からのCF4 と、水バブリングユニット30からの水蒸気を反応させてHFなどの活性種を生成する。半導体基板1は、処理室12の内部にガス導入口22に対向して配置される。処理室12は、真空ポンプ14により減圧にされる。制御装置42は、圧力センサ44の検出信号から処理室12の内部が減圧され、放電ユニット20から送られてくる活性種を含む処理ガスの平均自由行路が、ガス導入口22から半導体基板1までの距離より大きくなると、開閉弁38を開放して処理ガスを処理室12に供給する。

請求項（抜粋）：

被処理材を配置した処理室に活性種を導入して前記被処理材をエッチングするドライエッチング方法において、前記被処理材を前記処理室のガス導入口に対向して配置するとともに、前記処理室を減圧して前記活性種の平均自由行路を、前記被処理材と前記ガス導入口との間の距離より大きくして前記活性種を前記処理室に導入する、ことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

C23F 4/00 A , H01L 21/302 C

Fターム (19件)：

4K057DA11 , 4K057DB06 , 4K057DD08 , 4K057DE08 , 4K057DE20 , 4K057DG08 , 4K057DG13 , 4K057DM12 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA05 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DB03

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