特許
J-GLOBAL ID：200903012980018273
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123891
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334120
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】電源のサージ環境の厳しい場所で使うインテリジェントパワーICを外付け部品なしで信頼性を得るようツェナダイオードを基板内に独立に作り込む。【構成】縦型の出力用パワーMOS FET 3 と制御用半導体素子1,2 をモノリシックに集積したインテリジェントパワーICに、P+ 拡散層71とN+ 貫通層72との間で縦型のツェナダイオード70が形成されている。P+ 拡散層71はツェナダイオードのアノードを形成し、73はツェナダイオードのアノード電極、上記したN+ 貫通層72はカソードとなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1主面と第2主面がそれぞれ電流通路の一端側、他端側となる縦型出力の電力用トランジスタと、前記半導体基板にモノリシックに集積される前記電力用トランジスタの制御用半導体素子群と、前記半導体基板にモノリシックに集積され前記半導体基板の第1主面をアノード電極側、第2主面をカソード電極側とし、その耐圧が前記電力用トランジスタの耐圧より低いツェナダイオードとを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 29/784
, H01L 29/90
